Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology, рекомендуемый in комбинация с SiC диод, 1200V высокоскоростной импульсный серия третий поколение
Артикул: C536098
Part Number: IGW40N120H3
Производитель: Infineon
от 5.875500 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.167900 ₽ |
| 10 шт. | 7.087300 ₽ |
| 30 шт. | 6.428100 ₽ |
| 90 шт. | 5.875500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 483W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.05V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 185nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.33nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 150pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 130pF |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 290ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.93mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.23mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
483W 80A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS