Низкий VcE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology, 650V IGBT низкий VcE(sat) серия пятый поколение
Артикул: C536097
Part Number: IGW30N65L5
Производитель: Infineon
от 3.106600 ₽
В наличии: 26 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.831700 ₽ |
| 10 шт. | 4.168300 ₽ |
| 30 шт. | 3.773200 ₽ |
| 90 шт. | 3.373200 ₽ |
| 510 шт. | 3.190100 ₽ |
| 990 шт. | 3.106600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 227W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 168nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.2V@0.4mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.9nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 42pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 18pF |
| Время задержки включения Td(on) | 33ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 308ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 470uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.35mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
227W 85A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS