Низкий потери IGBT in TrenchStop и С ограничением электрического поля technology

Низкий потери IGBT in TrenchStop и С ограничением электрического поля technology

Артикул: C536094 Part Number: IGW25T120 Производитель: Infineon
от 3.766800 ₽ В наличии: 2 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.860900 ₽
10 шт. 5.055200 ₽
30 шт. 4.575700 ₽
90 шт. 4.091300 ₽
510 шт. 3.868500 ₽
990 шт. 3.766800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 190W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.2V@25A,15V
Заряд затвора (Qg) 155nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 1.86nF
Выходная ёмкость (Coes) 96pF
Проходная ёмкость (Cres) 82pF
Время задержки включения Td(on) 50ns
Время задержки выключения Td(off) 560ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.2mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

190W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS