Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology, 1200V высокоскоростной импульсный серия третий поколение
Артикул: C536090
Part Number: IGW15N120H3
Производитель: Infineon
от 5.070500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.250800 ₽ |
| 10 шт. | 5.172900 ₽ |
| 30 шт. | 5.122500 ₽ |
| 100 шт. | 5.070500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 217W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 15A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.05V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 75nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 875pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 45pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 450uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
217W 15A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS