Infineon IGT60R190D1S
Артикул: C536085
Part Number: IGT60R190D1S
Производитель: Infineon
от 9.245500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.480500 ₽ |
| 10 шт. | 10.954500 ₽ |
| 30 шт. | 10.041400 ₽ |
| 100 шт. | 9.245500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 55.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ@9.6mA |
| Заряд затвора (Qg) | 3.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 157pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 28pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
55.5W 600V 12.5A 1.2V 140mΩ@9.6mA 1 N-канальный N-канальный HSOF-8-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)