Высокоскоростной 5 быстрый IGBT in TRENCHSTOP 5 technology, 650V IGBT высокоскоростной импульсный серия пятый поколение
Артикул: C536078
Part Number: IGP30N65F5
Производитель: Infineon
от 4.588000 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.752100 ₽ |
| 10 шт. | 4.682200 ₽ |
| 30 шт. | 4.635100 ₽ |
| 100 шт. | 4.588000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 170ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 280uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 70uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
188W 35A 650V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS