Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology

Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology

Артикул: C536075 Part Number: IGP20N60H3 Производитель: Infineon
от 1.460600 ₽ В наличии: 61 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.133200 ₽
10 шт. 1.883000 ₽
50 шт. 1.725400 ₽
100 шт. 1.564600 ₽
500 шт. 1.491500 ₽
1000 шт. 1.460600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 170W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 20A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.4V@20A,15V
Заряд затвора (Qg) 120nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.1V@0.29mA
Входная ёмкость (Cies) 1.1nF
Выходная ёмкость (Coes) 70pF
Проходная ёмкость (Cres) 32pF
Время задержки включения Td(on) 16ns
Время задержки выключения Td(off) 194ns
Энергия потерь при включении (Eon) 450uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 240uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

170W 20A 600V FS (ограничение поля) TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS