Низкий потери IGBT: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology

Низкий потери IGBT: IGBT in TRENCHSTOP и С ограничением электрического поля technology

Артикул: C536073 Part Number: IGP10N60T Производитель: Infineon
от 0.864800 ₽ В наличии: 18 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.578800 ₽
10 шт. 1.300400 ₽
50 шт. 1.148100 ₽
100 шт. 0.974500 ₽
500 шт. 0.899200 ₽
1000 шт. 0.864800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 110W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 24A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.05V@10A,15V
Заряд затвора (Qg) 62nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.1V@0.3mA
Входная ёмкость (Cies) 551pF
Выходная ёмкость (Coes) 40pF
Проходная ёмкость (Cres) 17pF
Время задержки включения Td(on) 12ns
Время задержки выключения Td(off) 215ns
Энергия потерь при включении (Eon) 160uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 270uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

110W 24A 600V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS