Infineon IGLD60R190D1
Артикул: C536069
Part Number: IGLD60R190D1
Производитель: Infineon
от 22.002300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 22.423100 ₽ |
| 10 шт. | 22.002300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.2nC@400V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 157pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 28pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | -10V |
Описание
62.5W 600V 10A 1.2V 140mΩ 1 N-канальный P-канальный LSON-8-1(8x8) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)