Infineon IGB50N65S5
Артикул: C536059
Part Number: IGB50N65S5
Производитель: Infineon
от 2.275000 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.403200 ₽ |
| 10 шт. | 2.347800 ₽ |
| 30 шт. | 2.311400 ₽ |
| 100 шт. | 2.275000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 270W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.8V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 139ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.23mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 740uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
270W 80A 650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS