Infineon IGB50N65H5
Артикул: C536058
Part Number: IGB50N65H5
Производитель: Infineon
от 6.379900 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.645400 ₽ |
| 10 шт. | 6.530700 ₽ |
| 30 шт. | 6.455300 ₽ |
| 100 шт. | 6.379900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 270W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 53.7A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 173ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.59mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 750uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
270W 53.7A 650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS