Infineon IGB50N60T
Артикул: C536057
Part Number: IGB50N60T
Производитель: Infineon
от 4.207800 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.383300 ₽ |
| 10 шт. | 4.308600 ₽ |
| 30 шт. | 4.258200 ₽ |
| 100 шт. | 4.207800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 333W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 310nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.9V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.14nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 200pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 93pF |
| Время задержки включения Td(on) | 26ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 299ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
333W 50A 600V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS