Infineon IGB30N60T

Infineon IGB30N60T

Артикул: C536056 Part Number: IGB30N60T Производитель: Infineon
от 4.831100 ₽ В наличии: 31 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.032800 ₽
10 шт. 4.945900 ₽
30 шт. 4.888500 ₽
100 шт. 4.831100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 187W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 39A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Заряд затвора (Qg) 167nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.9V
Входная ёмкость (Cies) 1.63nF
Выходная ёмкость (Coes) 108pF
Проходная ёмкость (Cres) 50pF
Время задержки включения Td(on) 23ns
Время задержки выключения Td(off) 254ns
Энергия потерь при включении (Eon) 690uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 770uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

187W 39A 600V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы RoHS