Infineon IGB30N60H3
Артикул: C536055
Part Number: IGB30N60H3
Производитель: Infineon
от 2.424000 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.524700 ₽ |
| 10 шт. | 2.480900 ₽ |
| 30 шт. | 2.453200 ₽ |
| 100 шт. | 2.424000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187W;94W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 60A;30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 165nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.63nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 107pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 207ns;239ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 730uJ;950uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 440uJ;600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
600V FS (ограничение поля) TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS