Infineon IGB20N65S5
Артикул: C536054
Part Number: IGB20N65S5
Производитель: Infineon
от 0.812300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.215400 ₽ |
| 200 шт. | 0.858100 ₽ |
| 500 шт. | 0.828100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.812300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 24pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 115ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 360uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 150uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
125W 40A 650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS