Высокоскоростной IGBT in траншейный и С ограничением электрического поля technology, 600V высокоскоростной импульсный серия третий поколение
Артикул: C536053
Part Number: IGB20N60H3
Производитель: Infineon
от 1.909000 ₽
В наличии: 22 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.975600 ₽ |
| 10 шт. | 1.948000 ₽ |
| 30 шт. | 1.928500 ₽ |
| 100 шт. | 1.909000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 170W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@20A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.1V@0.29mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 70pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 32pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 194ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 450uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 240uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
170W 40A 600V FS (ограничение поля) TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS