Infineon IFS100B12N3E4P_B11
Артикул: C535989
Part Number: IFS100B12N3E4P_B11
Производитель: Infineon
от 93.665900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 255.451000 ₽ |
| 200 шт. | 98.856700 ₽ |
| 500 шт. | 95.381900 ₽ |
| 1000 шт. | 93.665900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 515W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.35V |
| Заряд затвора (Qg) | 750nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 350pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 170ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 450ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 11mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
515W 100A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS