TRENCHSTOP 5 WR6 technology in усовершенствованный путь утечки и зазор корпус
Артикул: C5359102
Part Number: IKWH50N65WR6
Производитель: Infineon
от 3.206300 ₽
В наличии: 92 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.652200 ₽ |
| 10 шт. | 3.479700 ₽ |
| 30 шт. | 3.378800 ₽ |
| 90 шт. | 3.276300 ₽ |
| 480 шт. | 3.227400 ₽ |
| 960 шт. | 3.206300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 205W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 144nC@15V |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.51nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 34pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 14pF |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 351ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 730uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 87ns |
Описание
205W 85A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS