Низкий потери Duopack: IGBT 7 с траншейный и С ограничением электрического поля technology

Низкий потери Duopack: IGBT 7 с траншейный и С ограничением электрического поля technology

Артикул: C5359097 Part Number: IKW40N65ET7 Производитель: Infineon
от 2.284500 ₽ В наличии: 241 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.084300 ₽
10 шт. 2.786000 ₽
30 шт. 2.600800 ₽
90 шт. 2.409100 ₽
510 шт. 2.322200 ₽
990 шт. 2.284500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 230.8W;115.4W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 76A;49.5A
Ток отсечки коллектора (Ices) 900uA
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.35V
Заряд затвора (Qg) 235nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5V
Входная ёмкость (Cies) 2.475nF
Выходная ёмкость (Coes) 77pF
Проходная ёмкость (Cres) 25pF
Время задержки включения Td(on) 20ns
Время задержки выключения Td(off) 310ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.05mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 590uJ
Время обратного восстановления (trr) 85ns

Описание

650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS