Infineon FT150R12KE3G_B4
Артикул: C535575
Part Number: FT150R12KE3G_B4
Производитель: Infineon
от 216.733600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 227.626300 ₽ |
| 30 шт. | 216.733600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 700W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.4uC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 10.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 400pF |
| Время задержки включения Td(on) | 280ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 500ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 14mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
700W 150A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы