Infineon FS900R08A2P2_B31

Infineon FS900R08A2P2_B31

Артикул: C535572 Part Number: FS900R08A2P2_B31 Производитель: Infineon
от 859.960800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 903.183200 ₽
30 шт. 859.960800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.546kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 750V
Ток коллектора (Ic) 550A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.1V
Заряд затвора (Qg) 5.8uC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.8V
Входная ёмкость (Cies) 105nF
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 500pF
Время задержки включения Td(on) 390ns
Время задержки выключения Td(off) 630ns
Энергия потерь при включении (Eon) 21mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 27.5mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

1.546kW 550A 750V одиночные IGBT-транзисторы