Infineon FS50R12W2T4
Артикул: C535536
Part Number: FS50R12W2T4
Производитель: Infineon
от 31.179900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 85.036600 ₽ |
| 195 шт. | 32.908600 ₽ |
| 495 шт. | 31.751900 ₽ |
| 1005 шт. | 31.179900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 335W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 380nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 100pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
335W 50A 1.2kV модули IGBT RoHS