IGBT-модуль, EasyPACK модуль с траншейный/С ограничением электрического поля IGBT4 и С управлением эмиттером 4diode и монтаж запрессовкой / NTC
Артикул: C535474
Part Number: FS25R12W1T4_B11
Производитель: Infineon
от 14.430400 ₽
В наличии: 195 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.378200 ₽ |
| 10 шт. | 15.155200 ₽ |
| 30 шт. | 14.768200 ₽ |
| 100 шт. | 14.430400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 205W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 45A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.25V@25A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@0.8mA |
| Заряд затвора (Qg) | 200nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.45nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 180ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.9mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
205W 45A 1.2kV FS (ограничение поля) монтаж в отверстия,62.8x33.8mm модули IGBT RoHS