IGBT-модуль с траншейный/С ограничением электрического поля IGBT4 и С управлением эмиттером 4 диод
Артикул: C535435
Part Number: FS150R12KT4
Производитель: Infineon
от 100.734800 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 100.734800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 750W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@150A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V@5.3mA |
| Заряд затвора (Qg) | 1.25uC |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.35nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 350pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 115ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 370ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 10mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
750W 150A 1.2kV FS (ограничение поля) монтаж в отверстия,122x62mm модули IGBT RoHS