Infineon FS10R12VT3
Артикул: C535427
Part Number: FS10R12VT3
Производитель: Infineon
от 13.587200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 37.052600 ₽ |
| 200 шт. | 14.338900 ₽ |
| 500 шт. | 13.835700 ₽ |
| 1000 шт. | 13.587200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 64W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 100nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 700pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 26pF |
| Время задержки включения Td(on) | 37ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 290ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 950uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 700uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
64W 10A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS