Infineon FS10R06VE3_B2
Артикул: C535425
Part Number: FS10R06VE3_B2
Производитель: Infineon
от 12.354000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 33.692500 ₽ |
| 200 шт. | 13.039300 ₽ |
| 500 шт. | 12.580900 ₽ |
| 1000 шт. | 12.354000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V;2V |
| Заряд затвора (Qg) | 100nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.9V;6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 550pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 17pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 100ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 140uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 240uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
50W 10A 600V IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS