Infineon FP75R17N3E4_B11
Артикул: C535399
Part Number: FP75R17N3E4_B11
Производитель: Infineon
от 195.565100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 205.393500 ₽ |
| 30 шт. | 195.565100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 900nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 220pF |
| Время задержки включения Td(on) | 230ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 460ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 13mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 14.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
75A 1.7kV FS (ограничение поля) одиночные IGBT-транзисторы