Infineon F4-75R07W1H3_B11A
Артикул: C535277
Part Number: F4-75R07W1H3_B11A
Производитель: Infineon
от 40.289200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 109.879700 ₽ |
| 200 шт. | 42.522600 ₽ |
| 500 шт. | 41.028600 ₽ |
| 1000 шт. | 40.289200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 275W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 37.5A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 140pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 230uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 330uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
275W 37.5A 650V IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS