Infineon F4-50R07W1H3_B11A
Артикул: C535273
Part Number: F4-50R07W1H3_B11A
Производитель: Infineon
от 31.490600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 85.884200 ₽ |
| 200 шт. | 33.235800 ₽ |
| 500 шт. | 32.068100 ₽ |
| 1000 шт. | 31.490600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 25A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 500nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.25nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 90pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 150ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 210uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 220uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
200W 25A 650V FS (ограничение поля) одиночные IGBT-транзисторы RoHS