Infineon F3L15R12W2H3_B27
Артикул: C535230
Part Number: F3L15R12W2H3_B27
Производитель: Infineon
от 47.937100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 130.735000 ₽ |
| 200 шт. | 50.593400 ₽ |
| 500 шт. | 48.815400 ₽ |
| 1000 шт. | 47.937100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 145W;150W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV;650V |
| Ток коллектора (Ic) | 15A;20A;25A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 75nC@15V;300nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 875pF;1.65nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 45pF;51pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS