Infineon F3L100R12W2H3_B11
Артикул: C535224
Part Number: F3L100R12W2H3_B11
Производитель: Infineon
от 39.952900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 108.963500 ₽ |
| 200 шт. | 42.168300 ₽ |
| 500 шт. | 40.686100 ₽ |
| 1000 шт. | 39.952900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.05V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.15nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 345pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.05mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
375W 50A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS