Infineon F3L100R07W2E3_B11
Артикул: C535223
Part Number: F3L100R07W2E3_B11
Производитель: Infineon
от 78.696800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 83.512200 ₽ |
| 30 шт. | 78.696800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A;117A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V;1.6V;1.7V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.1uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 190pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns;60ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns;270ns;50ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 550uJ;850uJ;950uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.5mJ;3.35mJ;3.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
300W 650V IGBT модуль модули IGBT RoHS