Infineon DF80R07W1H5FP_B11
Артикул: C535104
Part Number: DF80R07W1H5FP_B11
Производитель: Infineon
от 21.599300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 58.905400 ₽ |
| 210 шт. | 22.797100 ₽ |
| 510 шт. | 21.995900 ₽ |
| 990 шт. | 21.599300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.72V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.75V |
| Заряд затвора (Qg) | 165nC@400V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 8pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 95ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 127uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 195uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
40A 650V модули IGBT RoHS