Infineon DF200R12W1H3_B27
Артикул: C535090
Part Number: DF200R12W1H3_B27
Производитель: Infineon
от 25.189900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 68.696900 ₽ |
| 192 шт. | 26.585500 ₽ |
| 504 шт. | 25.650500 ₽ |
| 1008 шт. | 25.189900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 64pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
375W 30A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS