Infineon DF150R12RT4
Артикул: C535085
Part Number: DF150R12RT4
Производитель: Infineon
от 45.111000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 123.028500 ₽ |
| 200 шт. | 47.611500 ₽ |
| 500 шт. | 45.938300 ₽ |
| 1000 шт. | 45.111000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 790W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V |
| Заряд затвора (Qg) | 900nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 500pF |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 8.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 8.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
790W 150A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS