Infineon DF120R12W2H3_B27
Артикул: C535083
Part Number: DF120R12W2H3_B27
Производитель: Infineon
от 29.667700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 80.912000 ₽ |
| 195 шт. | 31.312000 ₽ |
| 495 шт. | 30.211700 ₽ |
| 1005 шт. | 29.667700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 180W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.05V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 320nC@30V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.35nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 130pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 35ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 230ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
180W 40A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS