P-канальный обогащение режим мощность MOSFET
Артикул: C5350822
Part Number: SI4435DDY
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.111100 ₽
В наличии: 9850 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.151100 ₽ |
| 50 шт. | 0.134100 ₽ |
| 150 шт. | 0.126800 ₽ |
| 500 шт. | 0.117600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.113600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.111100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.5mΩ@10V;14mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 25nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 150pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 200pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3W 30V 12A 1.5V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)