Двойной N-канальный обогащение режим мощность MOSFET
Артикул: C5350813
Part Number: TPM60NB7S8-4
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.154900 ₽
В наличии: 500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.164200 ₽ |
| 50 шт. | 0.160300 ₽ |
| 150 шт. | 0.157600 ₽ |
| 500 шт. | 0.154900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 26mΩ@10V;32mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 979pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 100pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 120pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2W 60V 6A 1.6V 2 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)