Infineon DF100R07W1H5FP_B53
Артикул: C535079
Part Number: DF100R07W1H5FP_B53
Производитель: Infineon
от 24.514700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 66.858400 ₽ |
| 200 шт. | 25.873700 ₽ |
| 500 шт. | 24.965100 ₽ |
| 1000 шт. | 24.514700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 25A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 235nC@400V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 13pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 9ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 8ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 110uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 150uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
25A 650V модули IGBT RoHS