Infineon DDB6U75N16W1R_B11
Артикул: C535073
Part Number: DDB6U75N16W1R_B11
Производитель: Infineon
от 22.964000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 62.626400 ₽ |
| 200 шт. | 24.236600 ₽ |
| 500 шт. | 23.384600 ₽ |
| 1000 шт. | 22.964000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 335W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 380nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 100pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 440ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 4.4us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
335W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS