Infineon DDB6U75N16W1R
Артикул: C535072
Part Number: DDB6U75N16W1R
Производитель: Infineon
от 65.976000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 68.216400 ₽ |
| 24 шт. | 65.976000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 335W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 69A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V;2.15V;2.25V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 380nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 100pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 80ns;85ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 370ns;440ns;460ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.7mJ;5.8mJ;6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.1mJ;4.4mJ;4.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
335W 69A 1.2kV IGBT модуль монтаж в отверстия модули IGBT RoHS