Транзистор предварительное смещение 50V USM
Артикул: C5349734
Part Number: RN2302,LF
Производитель: TOSHIBA
от 0.100200 ₽
В наличии: 170 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.104100 ₽ |
| 50 шт. | 0.102400 ₽ |
| 150 шт. | 0.101300 ₽ |
| 500 шт. | 0.100200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 100mW поверхностный монтаж USM