QNHCHIP QND50P02BY
Артикул: C53474625
Part Number: QND50P02BY
Производитель: QNHCHIP
от 0.080600 ₽
В наличии: 70 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.135400 ₽ |
| 50 шт. | 0.111800 ₽ |
| 150 шт. | 0.100000 ₽ |
| 500 шт. | 0.091200 ₽ |
| 2500 шт. | 0.084200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.080600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 41.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 650mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.2mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 54nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.888nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 342pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 380pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 55A 650mV 41.6W 6.2mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)