QNHCHIP QND80N06D
Артикул: C53474623
Part Number: QND80N06D
Производитель: QNHCHIP
от 0.098900 ₽
В наличии: 95 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.192900 ₽ |
| 50 шт. | 0.152800 ₽ |
| 150 шт. | 0.135700 ₽ |
| 500 шт. | 0.114200 ₽ |
| 2500 шт. | 0.104700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.098900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 58A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 58W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 77nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.973nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 163pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 177pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 58A 1.5V 58W 7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)