QNHCHIP QND30N03LJ
Артикул: C53474616
Part Number: QND30N03LJ
Производитель: QNHCHIP
от 0.048500 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.081400 ₽ |
| 100 шт. | 0.067200 ₽ |
| 300 шт. | 0.060100 ₽ |
| 2500 шт. | 0.054800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.050600 ₽ |
| 10000 шт. | 0.048500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 26W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 19mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 376pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 42pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 53pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 12A 1.8V 26W 19mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)