QNHCHIP QND100N02AJ
Артикул: C53474614
Part Number: QND100N02AJ
Производитель: QNHCHIP
от 0.061700 ₽
В наличии: 195 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.121400 ₽ |
| 50 шт. | 0.095700 ₽ |
| 150 шт. | 0.082900 ₽ |
| 500 шт. | 0.073200 ₽ |
| 2500 шт. | 0.065500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.061700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 90A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 54W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 900mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.1mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.476nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 464pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 528pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 90A 900mV 54W 3.1mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)