HXY MOSFET WNSC2D08650TJ-HXY
Артикул: C53468100
Part Number: WNSC2D08650TJ-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.984800 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.645700 ₽ |
| 10 шт. | 1.399500 ₽ |
| 30 шт. | 1.244000 ₽ |
| 100 шт. | 1.086900 ₽ |
| 500 шт. | 1.015600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.984800 ₽ |
Характеристики
| Конфигурация диодов | 1 Independent |
| Максимальное постоянное обратное напряжение (Vr) | 650V |
| Выпрямленный ток | 8A |
| Обратный ток утечки (Ir) | 50uA@650V |
| Прямое напряжение (Vf при If) | 1.42V@8A |
| Диапазон рабочих температур перехода | -55℃~+175℃ |
| Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток | 60A |
Описание
1 независимый 650V 1.42V@8A 8A DFN-5B(8x8) одиночные диоды