HXY MOSFET IDP08E65D2XKSA1-HXY
Артикул: C53468096
Part Number: IDP08E65D2XKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.767900 ₽
В наличии: 23 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.293800 ₽ |
| 10 шт. | 1.089300 ₽ |
| 50 шт. | 0.977300 ₽ |
| 100 шт. | 0.849100 ₽ |
| 500 шт. | 0.793900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.767900 ₽ |
Характеристики
| Максимальное постоянное обратное напряжение (Vr) | 600V |
| Конфигурация диодов | 1 Independent |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Выпрямленный ток | 8A |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Обратный ток утечки (Ir) | 10uA@600V |
| Прямое напряжение (Vf при If) | 1.5V@8A |
| Диапазон рабочих температур перехода | -55℃~+150℃ |
| Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток | 100A |
Описание
50ns 600V 1 независимый 1.5V@8A 8A TO-220C-2L одиночные диоды