HXY MOSFET BSDH08G65E2-HXY
Артикул: C53468058
Part Number: BSDH08G65E2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.813200 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.435100 ₽ |
| 10 шт. | 1.192200 ₽ |
| 50 шт. | 1.059300 ₽ |
| 100 шт. | 0.910300 ₽ |
| 500 шт. | 0.842300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.813200 ₽ |
Характеристики
| Конфигурация диодов | 1 Independent |
| Максимальное постоянное обратное напряжение (Vr) | 650V |
| Выпрямленный ток | 8A |
| Обратный ток утечки (Ir) | 50uA@650V |
| Прямое напряжение (Vf при If) | 1.38V@8A |
| Диапазон рабочих температур перехода | -55℃~+175℃ |
| Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток | 88A |
Описание
1 независимый 650V 1.38V@8A 8A TO-220C-2L одиночные диоды