Infineon BSO080P03NS3 G
Артикул: C534532
Part Number: BSO080P03NS3 G
Производитель: Infineon
от 0.807500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.213600 ₽ |
| 10 шт. | 1.047900 ₽ |
| 30 шт. | 0.963500 ₽ |
| 100 шт. | 0.882200 ₽ |
| 500 шт. | 0.831900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.807500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 14.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 81nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.75nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 225pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.1nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
2.5W 30V 14.8A 1.9V 8mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)